精密hth入口中国有限公司 在电路的选择中应用
发布时间： 2022-06-29
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强烈建议使用用于电路的SMD组件。一些电容器中甚至有薄膜结构，当受到尖锐的高电流脉冲时和类似于暴露于C2的电容器和在其介电层中经历压电运动。有时，你甚至可以听到这种电容器发出的“滴答”声，这意味着由于压电效应会造成很大的损耗。
0.005Ω（5 mΩ），1％公差的TT electronics lob-3HTH彩票 用作标准电阻器（R6）。
大多数元件的公差并不重要因为由于电路采用比例测量技术注意其稳定性和结构形式。这很容易被示波器或电压表注意到但它应该足够大和以提供足够长的电流脉冲和电容器C2的值并不重要。
电容器应采用低内阻/电感的结构技术，如层压箔膜或陶瓷。如果电容取决于外加电压，则应避免使用多种类型的电容器，尤其是陶瓷电容器。并联多个电容器以产生所需值和有必要的话可。
这两个参数将影响测试电路的测量下限和另一个潜在限制是MOSFET的最大漏电流。
-元件本身及其连接的PCB布线为了降低寄生振荡水平和电阻器R6和电容器C4应具有非常低的电感。
很容易超过MOSFET Q1的绝对最大额定电压和有时候电路布局不满足这一要求的时候。对于驱动器tc4422a的输出上升/下降时间可以小于25 ns和6nf（栅极电容）的电容性负载；再加上通过电感器的产生的电压和大电流（约100 a）几乎会损坏任何MOSFET。
这对于将栅极布线至驱动器（U2，引脚6至Q1底部）尤其重要和驱动器应保持在1英寸以下。
出于同样的原因电阻器RX和R6的连接应尽可能接近相同的长度和以尽量减少电感和电压降。
必须使用两端阻抗匹配良好的50Ω同轴电缆和电路的所有外部连接应使用基本高频实践进行设计。
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大多数元件的公差并不重要因为由于电路采用比例测量技术注意其稳定性和结构形式。这很容易被示波器或电压表注意到但它应该足够大和以提供足够长的电流脉冲和电容器C2的值并不重要。
电容器应采用低内阻/电感的结构技术，如层压箔膜或陶瓷。如果电容取决于外加电压，则应避免使用多种类型的电容器，尤其是陶瓷电容器。并联多个电容器以产生所需值和有必要的话可。
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很容易超过MOSFET Q1的绝对最大额定电压和有时候电路布局不满足这一要求的时候。对于驱动器tc4422a的输出上升/下降时间可以小于25 ns和6nf（栅极电容）的电容性负载；再加上通过电感器的产生的电压和大电流（约100 a）几乎会损坏任何MOSFET。
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